霍尔效应设置

霍尔效应设置

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*手动精心的实验程序和程序框图等英语指令应提供与训练系统设置。



霍尔效应理论的基本概念是,当载流金属导体位于一个磁场B垂直于电流流动I的方向,横向电场EH和电位差产生(霍尔效应)。霍尔电压UH是通过在磁场中移动的载流子的偏转由于洛伦兹力,其方向可以通过右手法则预测引起的。
通过敏锐医学实验(型号:AL-E192),霍尔效应亚博智能科技官网设备被设计成精确的设计模块和附件。该实验装置用于分析霍尔效应对半导体的影响。霍尔效应通常被认为是观察在材料科学的一个重要课题,深入的研究。根据霍尔效应的理论,如果电流流过其被放置在磁场中的导体,磁场施加在移动电荷载流子的横向力,该力倾向于将它们推到导体的一侧,这种现象产生导体的两侧之间的可测量的电压,该电压被称为霍尔电压。这个实验设置可以被用于确定半导体样品的许多特性,例如电荷载体迁移率,载流子密度,霍尔系数,霍尔电压等,我们也能够相对于研究温度在半导体上磁场的作用及效果在霍尔电压的变化。
在我们的霍尔效应设备,我们已经使用数字显示,所有值读取出局,以尽量减少人为错误。电磁铁,高斯计,电源等设计,并为学生更好的设备理解和容易涉及的个人原则,独立的模块制造。安全始终是头等重要的,而该设备的设计。
该系统由两个盒,其中的每一个配备有“p”和“n”个掺锗晶体.The盒可以很容易地和安全地被插入到d的连接器系统。霍尔效应设置提供用于样品和显示所有的操作参数的霍尔电压,采样电流以及所述样品的温度。锗掺杂的样品被用于测量霍尔电压作为样品电流的函数,磁通密度和样品温度。